Fundamentals of III-V Devices: Hbts, Mesfets, and Hfets/Hemts Baixar grátis

Isbn 10: 0471297003

Isbn 13: 9780471297000

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Descrição do livro

HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, daß der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)

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Encadernação Fundamentals of III-V Devices: Hbts, Mesfets, and Hfets/Hemts:Capa dura
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